これまでに、試作したチップは多岐にわたります。 ここで、さらにご紹介いたします。
65nmCMOS標準プロセス
• VIN=2V, VOUT=1V, IOUT=300mA
• CIN=CFLY=COUT=100nF
• fCLK=20MHz
180nm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) プロセス
• 面積: 1.7mm2
2300μm
730μm
空中浮遊するチップ
これまでに、試作したチップは多岐にわたります。 ここで、さらにご紹介いたします。
65nmCMOS標準プロセス
• VIN=2V, VOUT=1V, IOUT=300mA
• CIN=CFLY=COUT=100nF
• fCLK=20MHz
180nm Bipolar-CMOS-DMOS (BCD) プロセス
• 面積: 1.7mm2
2300μm
730μm
空中浮遊するチップ